基于GOOSE-VMD的GaN HEMT器件应力波检测与分析

摘要： 第三代功率半导体器件—氮化镓高电子迁移率晶体管器件(GaN HEMT)以其耐压耐温的优异特性在电力电子与通讯电子领域广泛应用。GaN HEMT器件通常工作在高温大功率等严苛的外部条件下，为了避免其突然失效对电力电子设备的正常运行产生影响，对其进行主动实时的状态检测有着极其重要的意义。通过在不同温度和漏源电压条件下设计并进行重复性实验，提取分析GaN HEMT器件开通和关断瞬间产... （共10页）