太赫兹波化合物半导体材料研究进展

摘要： 继微波、毫米波技术之后,太赫兹(THz)波技术已被证实在下一代探测与通信领域具有重要的应用前景。作为微波、毫米波芯片衬底材料主流的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,正逐渐成为太赫兹单片集成电路(TMIC)材料科学的研究热点。本文介绍了以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体材料在TMIC制造领域的研究与应用进展,分析了国内外研究现状与未来发展趋势。 （共14页）