高温高应变下Cu/Ta界面扩散行为的分子动力学模拟

摘要： 采用铜互连的三维集成技术是提高微电子器件性能的一种很有前景的方法。然而,由于铜易扩散到硅电子器件中,导致其性能降低甚至失效,而钽(Ta)凭借稳定的化学性能常被作为阻挡层应用在工程中。为探究Cu/Ta体系的扩散行为,采用分子动力学方法,分别研究了温度和应变耦合作用下对Cu/Ta体系扩散的影响,通过对单晶结构和多晶结构的分析,厘清了两者扩散机理。在温度作用下,经过10ns的保温,仅... （共10页）