增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

摘要： 深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5min后,阈值电压由0.12V正向移动到0.57V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在400℃N2中退火2min后,器件阈值电压由0.23V负向移动到-0.69V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒提高,增强了栅对沟道载流子的耗尽能力,使器件阈值电压正方向移动,同时降低了栅反向漏电流,而且使得栅能工作在更高能的正向栅压下.F注入增强型器件在退火后由于F离子对二维电子气的耗尽作用在退火后减弱,造成阈值电压负方向移动;F注入对势垒的提高作用在退火后有所减弱,引起了Schottky泄漏电流明显增大.退火后F注入增强型器件的沟道电子迁移率得到明显恢复。 （共5页）