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AlN/GaN量子阱中光学声子所限制的电子迁移率

河南师范大学学报(自然科学版) 页数： 5 2011-06-08 11:15

摘要：在介电连续模型和单轴模型的框架下,采用雷-丁平衡方程理论,考虑量子阱中界面光学声子模和局域体光学声子模的影响,分别计算了纤锌矿型和闪锌矿型AlN/GaN量子阱中电子平行于异质结界面方向的迁移率,给出迁移率随阱宽的变化关系,并讨论了结构各向异性效应对电子迁移率的影响. （共5页）

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