低温下二硫化钼电子迁移率研究

摘要： 二硫化钼(MoS2)是已知的二维半导体材料中光电性能最优秀的材料之一.单原子层厚的MoS2是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件.本论文利用玻尔兹曼平衡方程输运理论研究低温时MoS2系统的电输运性质,计算得到了MoS2电子迁移率的解析表达式.研究发现,低温时MoS2的迁移率与衬底材料的介电常数的平方成正比;与系统的电子浓度对带电杂质的浓度的比率ne/ni成线性关系.因此,选用介电常数高的衬底材料,适当提高MoS2系统的载流子浓度,同时降低杂质的浓度,可以有效提高MoS2系统的迁移率.研究结果为探索以MoS2为基础的新型纳米光电器件的研究和实际应用提供了理论依据. （共6页）