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电子衍衬 共有 162 个词条内容

5.1.2 b测定的实际操作

    选择好感兴趣的视场,正确选择衍射条件,拍摄含有待测位错的显微图像及相应的选区域衍射谱,这是b测定工作的前提。遗漏衍射数据,事后找回视场进行补测,几乎是不可能的。实验中常常是将位错反应分析和b测定工作结合进行,因此要...[继续阅读]

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5.2.1 位错双像

    先定义几个决定衬度分布的参数:n为操作反射g在位错柏氏矢量b方向上的投影值,即g·b=n。s为偏离参量,反映衬度观察时,g偏离布拉格条件程度大小的参数。x为计算位错衬度(衍射振幅)时,表征讨论点相对于位错核心处、且垂直于位错线...[继续阅读]

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5.2.2 位错偶和超点阵位错

    区别于特定的衍射条件所形成的位错双像和位错偶与超点阵位错这种实际上真实存在的两根成对位错,是十分重要的。位错偶是分别位于相邻两平行滑移面上的符号相反的两平行位错,如图5-3(a)。超点阵位错则是位于同一滑移面上柏氏...[继续阅读]

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5.2.3 不全位错衬度消失判据

    不全位错是层错和周围完整晶体的边界,两不全位错可同时也可单根显示衬度,也可二者均无衬度;二不全位错间的层错有时显示条纹衬度,有时衬度消失,依成像衍射条件而定。通常,将不全位错和层错的衬度结合起来进行分析。作为示...[继续阅读]

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5.2.4位错环分析

    判定位错像在其真实位错的哪一侧的方法,是分析位错环性质的常用方法。实际工作中,我们关心这些位错环是由空位片上下原子面的崩塌而形成的“空位环”,还是由间隙原子片嵌入完整晶体而形成的“间隙环”?前者是合金从高温淬...[继续阅读]

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5.2.5 几种典型位错组态分析示例

    1.Frank-Read位错源发出的位错环通常低倍下在晶体表面观察到的滑移线是位错运动滑出晶体留下的变形痕迹。一条滑移带的滑移量约100~200nm,而一根位错产生的滑移量仅为b,相当于0.1nm。这就是说,一条滑移带是成千根位错滑出晶体的贡...[继续阅读]

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5.2.6 动力学效应对像衬的影响

    1.对位错像衬的影响成像时若某一个低阶反射或多束被激发,必须采用考虑吸收的动力学理论分析位错像衬。这时位错的衬度(强度)轮廓与位错所在处的深度关系极大。Howie和Whelan[36]曾讨论过倾斜位错的像衬特征,是动力学效应的一个...[继续阅读]

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5.3.1 概述

    位错密度是研究材料形变过程和微观结构对力学性能影响的重要参数。测定位错密度的方法有二,一是X-射线方法,它是根据位错密度对X-射线展宽的函数关系建立起来的方法。它虽不能在测量时同时看到位错,但它的结果反映了一定的...[继续阅读]

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5.3.2 电镜方法测位错密度的原理和方法

    位错密度ρ定义为晶体单位体积内所含位错线的总长度,即V为被测量区域晶体的体积,L为该体积内位错总长度。单位为cm-2。实际工作中测量L和V的准确值均有困难。但按体视学原理,经过简单推导,可以得到位错密度与位错交截单位面积...[继续阅读]

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5.4.1 概述

    如前所述,全位错分解为两不全位错,它们之间夹着一片层错。扩展位错是两不全位错与层错的统称。显然,分析层错和分析作为层错边界的不全位错直接相关。从扩展位错分析中,归纳出如下几点,对从整体上把握扩展位错的分析是有益...[继续阅读]

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