电子衍衬-图片

面心立方金属中扩展位错分类如表5-9。表5-9面心立方晶体中的扩展位错1.切变滑移型层错及不全位错分析面心立方晶体的层错面为{111},表5-10给出了这类扩展位错分析的实例。它很好地说明了:(1)分析扩展位错时需将不全位错和层错的...查看详细>>

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层错能是形成单位面积层错所需之能量,单位是10-7J/cm2,记作γ。有时定义为形成单位面积层错给系统增加之能量。系统能量增加是由于层错破坏了晶体的正常周期性,使电子发生额外散射。但层错仅破坏原子的次近邻关系,没有破坏最...查看详细>>

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1.弱束成像的衍射原理位错导致晶体畸变,表现为位错芯区附近的晶面发生旋转和此处反射面间距的微小改变。而成像时畸变中心晶体旋转的作用是主要的,它影响芯区附近满足布拉格条件的情况,而局部晶面间距的改变,作用十分有限...查看详细>>

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1.操作步骤实用中有g/4g、g/3g、g/2g等弱束暗场像,和-g/+g对称弱束明场像等类型的弱束像。它们的成像反射相对于厄瓦球的位置,如图5-15所示。以g/3g为例,说明其操作步骤:(1)成像模式下,选择感兴趣的视场移至屏中心,转至衍射模式,微倾...查看详细>>

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界面(包括晶界与相界)和表面(它也是一种界面,即固/气相界面)的研究,是近代材料科学研究的前沿热点之一。科学研究和工程应用实践均表明:材料的物理性能(如电磁性能、光学性能)、力学性能(如强度、塑性与断裂韧性)以及化学和...查看详细>>

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晶界位错模型最早由Burgers[51]于1939年和Bragg[52]于1940年提出来的。随后经过Frank[49]于1950年和Bilby[50]于1955年的发展,得以逐步完善。但是位错模型只适用于小角晶界。对于大角晶界,按照这个模型,位错密度势必高到使位错芯区发生重叠...查看详细>>

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设想结构相同但取向不同的相邻两个晶体,按各自的点阵周期相向扩展,或者说同一晶体的一部分相对于另一部分,以某一晶体学方向为轴,转动一个角度,此时两者将彼此贯穿,在贯穿区,两种点阵的原子将按一定规律周期地出现在位置相...查看详细>>

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O—点阵(O—Latice)的“O”,理解为英文“Origin”的原点之意,它是CSL点阵的一种扩充。从构成CSL点阵的图形中,如图6-6,可以看到除实线围成的CSL点阵外,还可以看到分布其中的许多位置如“P”点(只是说位置,此处不一定有阵点),其周围有...查看详细>>

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参看图6-8,将简单立方点阵的(001)晶面绕[001]轴旋转28.1°,转动前阵点如黑点所示,转动后阵点如圈点所示。于是构成了如图所示蹬以粗实线构成的CSL点阵,∑=17。仔细观察新的重位点阵中,原始的黑点和转动终止后的位置(圈点)又都落在一...查看详细>>

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在对大角晶界的原子模拟研究中,发现在界面的一定范围内(通常是几个原子层内),不论是对称倾斜晶界或非对称倾斜晶界,原子的堆垛形成了一定的三维结构的多面体排列,这种多种体总是7种Bernal多面体之一(图6-10)。形成晶界时的转轴...查看详细>>

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