位错(Dislocation)的概念是1934年泰勒(G.I.Taylor)等[11]最早为解释材料的实验强度和理论强度之间的巨大差异而提出来的。直到22年后的1956年前后,才由博尔曼(W.Bollman)、赫尔什(P.B.Hirsch)和门特(J.W.Menter)等的著名实验直接观察到这种缺陷。...[继续阅读]
海量资源,尽在掌握
位错(Dislocation)的概念是1934年泰勒(G.I.Taylor)等[11]最早为解释材料的实验强度和理论强度之间的巨大差异而提出来的。直到22年后的1956年前后,才由博尔曼(W.Bollman)、赫尔什(P.B.Hirsch)和门特(J.W.Menter)等的著名实验直接观察到这种缺陷。...[继续阅读]
理论计算表明完整晶体的理论切变强度应为G/2π,而一般晶体切变模量G=104~105N/mm2,故G/2π是一个非常大的值,它比实际测得的临界切应力要大好几个数量级。由此推测,实际晶体远不是完整的,必定存在某种缺陷,原子并非都位于其理想阵...[继续阅读]
1.柏氏矢量b的确定上述介绍中我们虽然已经引用柏氏矢量这个参量,但未给出严格定义,对这个重要参量的性质也未讨论。为了给读者在今后电镜分析中应用这一参数时有一形象而具体的概念,下面有必要对此作若干补充。含缺陷晶体...[继续阅读]
用此作图法可以将面心立方晶体中的全位错和不全位错以及可能的位错反应全部表示出来。方法是:以[100]、[010]和[001]为坐标轴,以面心立方三个相互垂直、交于原点的三个面的面心和原点为顶点作四面体ABCD,如图4-6(a)。D是坐标原点。...[继续阅读]
如图4-7所示,OCA是六方密排单胞底面上的一个三角形。O为单胞底面的中心。σ是所选取OCA三角形的中心。取Oσ为p,OA=a,AB=c。另取S、T为ΔOCA中心σ所对应的上下两个原子层上的原子,S、σ、T连结的直线垂直于△OCA,即六面体OCAST加AB、OB两...[继续阅读]
许多金属材料在生长过程或外力作用下,可以发生不同于正常排列顺序的一种错排,形成面缺陷,称为层错。和位错一样,它们也是材料中经常出现的一种缺陷。这种面缺陷和材料的力学性能有非常密切的关系,受到材料工作者的关注,也...[继续阅读]
金属的范性形变有三种基本形式:滑移、孪生和扭折。1.滑移过程的位错机制金属一般都具有一个以上的滑移系统。滑移面和滑移方向组成滑移系统。当晶体取向正好使得沿某一滑移系统上的分切应力达到某临界值时,将发生单滑移形...[继续阅读]
金属与合金的强化是一个牵涉问题很广的问题,即使是十分简略地给出它的一个概貌,也远远超出了本书的范围。但是作为材料工作者利用电镜研究材料微观结构的变化,又回避不了对位错的分析,因为近代材料强化理论是建立在位错理...[继续阅读]
材料微观断裂理论的基础是位错理论,位错理论已成功地应用于材料的强度和断裂机制的分析。这种应用也推动了位错理论本身的发展,今天,位错理论比过去任何时候都完善充实,许多新的位错组态和反应过程正是在它应用于材料科学...[继续阅读]
据电子衍射运动学理论:对像衬有贡献的衍射振幅Φg由两部分组成,即右边第一项exp(-2πisz)为完整晶体对衬度的贡献;第二项exp(-2πig·R)为缺陷(这里指位错)对衬度的贡献。式中g是对衬度作出主要贡献的操作反射的倒易矢量。在双束成像...[继续阅读]