半导体核嬗变掺杂
半导体核嬗变掺杂图片（共0张） :
用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料，通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素，达到半导体材料的掺杂目的。目前，只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克－霍罗维茨于1951年提出的 ...... （本文共 581 字 ） [阅读本文]>>
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