白光是由可见光区各种波长的光按一定比例组成。只有当对可见光区各种波长光的光程差等于零或等于几个波长时，才可能观察到白光的干涉条纹。以杨氏干涉实验为例,说明白光干涉条纹的特点。在这种装置中,当以单色光照明狭缝...[继续阅读]

    日本理论物理学家。1911年1月18日生于日本东京。1933年毕业于京都帝国大学物理系；1941年以《介子自发衰变的理论研究》的论文获理学博士学位；1942年任名古屋大学教授，在该大学创设基本粒子研究室，终生从事基本粒子理论研究...[继续阅读]

    见固体中的弹性波。...[继续阅读]

    指导电能力介于金属和绝缘体之间的固体材料，一般规定电阻率在10-3欧姆厘米和109欧姆厘米之间。按内部电子结构区分，半导体与绝缘体相似，它们所包含的价电子数恰好能填满价带，并由禁带和上面的导带隔开（见固体的能带）...[继续阅读]

    半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在硒上发现的。20世纪的前40年内，又先后在氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等材料中发现，并利用这现象制成几种可用作光强测量及自动控制的光电管。自40年代开始，由于半导...[继续阅读]

    指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。　　压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量...[继续阅读]

    见半导体器件。...[继续阅读]

    用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料，通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素，达到半导体材料的掺杂目的。目前，只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克－霍罗维茨于1951年提出的...[继续阅读]

    是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互连，"集成"在一块半导体单晶（主要是硅单晶）片上。它完成特定的电路或系统功能。这种集成电路与过去将各个电子元件分别封装，然后装配在一起...[继续阅读]

    用半导体做成的器件其种类十分繁多，其中最主要的是半导体电子器件和半导体光电器件两大类。　　半导体电子器件　最基本的两种器件是晶体二极管（简称二极管）和晶体三极管（简称晶体管）。　　晶体二极管的基本结构是...[继续阅读]