白光条纹

    白光是由可见光区各种波长的光按一定比例组成。只有当对可见光区各种波长光的光程差等于零或等于几个波长时,才可能观察到白光的干涉条纹。以杨氏干涉实验为例,说明白光干涉条纹的特点。在这种装置中,当以单色光照明狭缝...查看详细>>

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坂田昌一

    日本理论物理学家。1911年1月18日生于日本东京。1933年毕业于京都帝国大学物理系;1941年以《介子自发衰变的理论研究》的论文获理学博士学位;1942年任名古屋大学教授,在该大学创设基本粒子研究室,终生从事基本粒子理论研究...查看详细>>

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板中弹性波

    见固体中的弹性波。...查看详细>>

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半导体

    指导电能力介于金属和绝缘体之间的固体材料,一般规定电阻率在10-3欧姆厘米和109欧姆厘米之间。按内部电子结构区分,半导体与绝缘体相似,它们所包含的价电子数恰好能填满价带,并由禁带和上面的导带隔开(见固体的能带)...查看详细>>

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半导体的光电导

    半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在硒上发现的。20世纪的前40年内,又先后在氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等材料中发现,并利用这现象制成几种可用作光强测量及自动控制的光电管。自40年代开始,由于半导...查看详细>>

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半导体的压阻效应

    指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应,这与半导体的电子能带结构有关。  压阻效应是各向异性的,要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量...查看详细>>

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半导体光电器件

    见半导体器件。...查看详细>>

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半导体核嬗变掺杂

    用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料,通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素,达到半导体材料的掺杂目的。目前,只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克-霍罗维茨于1951年提出的...查看详细>>

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半导体集成电路

    是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件,按照一定的电路互连,"集成"在一块半导体单晶(主要是硅单晶)片上。它完成特定的电路或系统功能。这种集成电路与过去将各个电子元件分别封装,然后装配在一起...查看详细>>

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半导体器件

    用半导体做成的器件其种类十分繁多,其中最主要的是半导体电子器件和半导体光电器件两大类。  半导体电子器件 最基本的两种器件是晶体二极管(简称二极管)和晶体三极管(简称晶体管)。  晶体二极管的基本结构是...查看详细>>

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