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Si-C系
铁合金

Si-C系图片（共1张） :

硅-碳二组分体系。由Si-C二组分体系相图知,体系中仅有SiC一个化合物生成。SiC的生成热为51.9kJ/mol,密度为3.2g/cm3,熔点(蒸发)在2450℃—2950C之间。由于SiC的熔点很高,硬度也很大,硅铁电炉内经常存在这种碳化硅。1725℃时在液态硅中可溶（本文共 164 字 , 1 张图） [阅读本文] >>

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