一类以半导体晶粒相和绝缘性晶粒边界相为其构成特征,并借晶粒边界层作为电介质的陶瓷材料制成的电容器.称为边界层电容器.也称为晶界层电容器或内边界层电容器.这类电容器主要是以主掺杂的BaTiO3或SrTiO3或它们的固溶体为基的...[继续阅读]

    半导体PN结或Schottky二极管中空间电荷区宽度随反向偏压的增加而伸展,相应结电容将随之下降,这表明上述器件的势垒电容可随偏置电压而改变.利用这一特性从而在电路上实现电调谐、谐波发生或参量放大的半导体二极管称为变容二...[继续阅读]

    由于表面效应而引起的沿平行于表面方向的电导的变化.主要是对半导体及绝缘体而言.在半导体表面,通常存在电子表面态,这些表面态能与体内能级交换电子,结果使表面层电子过剩或缺少电子而带电,并由此产生自建电场.在自建电场...[继续阅读]

    表面化学是一门关于固体和液体表面或相界面的物理和化学性质的学科.它的内容如溶质在溶液表面上的吸附和分凝,液体在固体表面上的浸润,气体在固体表面上的吸附等都与生产实际联系紧密.早期的表面化学研究主要是对有关的表...[继续阅读]

    研究固体表面先要制备样品,样品表面除接触污染外,往往由于所处环境气氛中气体分子的吸附和加热过程中体内杂质向表面的扩散,存在各种杂质原子,其中常遇到的是C、S、Si,O和Al诸元素.因此,有必要除去表面上的各种杂质元素,以制...[继续阅读]

    理想的完整的晶体表面是二维的晶格,具有严格的周期性.晶体表面任何破坏周期性的因素构成表面缺陷.替代式杂质原子、填隙原子、空位等是表面点缺陷,表面位错环,畴壁界等是表面的线缺陷.由于表面环境的特殊性,晶体表面还有一...[继续阅读]

    Potts模型是Ising模型的推广,其中自旋可以多于两个分量.考虑位于平面格点上的自旋系统.每一自旋可取q个方向中的一个θn＝2nπ/q,n=0,1,2,…,q-1.一般的最近邻互作用只依赖于相对取向θij=θni-θnj.这样的系统具有Z(q)对称性,其Hamilton量为当...[继续阅读]

    如果外场不太强,可用线性化Boltzmann方程来讨论输运现象,线性化Boltzmann方程有许多近似解法,利用变分原理来找线性化Boltzmann方程的解有它一定的特点,它是M.Z.Kohler在1949年提出来的,较之弛豫时间近似,得到了与实验更符合的结果.在只...[继续阅读]

    也称弹簧管压力表.它是用得最广泛的一种商品化压力计.如图1所示,测压元件是一个预弯曲的扁金属管.其一端是固定的开口端,另一端为可自由移动的封闭端.进入管内的待测流体使弯管的截面更趋于圆形而管身趋于挺直.管的自由端的...[继续阅读]

    在利用量子场论方法研究粒子间存在相互作用的多粒子系统时,常采用产生算符和消灭算符表示系统的二次量子化哈密顿量.为计算系统的能级需要使此哈密顿量对角化.1947年Bogoliubov提出对哈密顿量中的产生算符、消灭算符作一线性变...[继续阅读]