1957年由J.Bardeen,L.N.Cooper和J.R.Schrieffer提出的关于超导现象的微观理论(以三人第一字母组合命名)。基本出发点是晶体中电子之间的交互作用:一个在晶体中运动的电子会通过库仑引力而吸引晶格中的正离子,引起晶格发生微小的弹性形...[继续阅读]
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1957年由J.Bardeen,L.N.Cooper和J.R.Schrieffer提出的关于超导现象的微观理论(以三人第一字母组合命名)。基本出发点是晶体中电子之间的交互作用:一个在晶体中运动的电子会通过库仑引力而吸引晶格中的正离子,引起晶格发生微小的弹性形...[继续阅读]
由Drude在20世纪初叶首次提出的金属模型和理论。基本观点是:①金属是由位置固定的金属正离子和在其间游动的电子所组成。②游动电子就是晶体中各组成原子的价电子,它们形成“电子气”,渗透在金属正离子之间的全部空间。电子...[继续阅读]
又称波矢空间。描述微观粒子运动状态的空间。由于微观粒子具有二象性,即既有微粒性,又有波动性,故按波动性描述粒子的运动状态需要指出波的传播方向和波长λ,为此便引入了波矢k,k的方向就是波的传播方向,k的模则定义为单位长...[继续阅读]
由电子导电的半导体。半导体中掺入了高价杂质,例如,在四价的硅或锗中掺入五价的杂质磷、砷或锑后便形成n型半导体。其导电机制如下:一个杂质磷原子取代晶格中的硅原子后,它的四个价电子就和最近邻的四个硅原子形成共价键...[继续阅读]
一块半导体内部p型区与n型区分界面形成区域。如果在高纯的Si或Ge半导体片的两侧分别掺入五价的杂质(如P、As)和三价的杂质(如Ga、In),那么就得到一侧是n型半导体,另一侧是p型半导体的材料,n型和p型的界面就形成p-n结(如图)。在刚形...[继续阅读]
空穴导电半导体。在半导体中掺入了低价杂质。例如在四价的硅或锗中掺入了三价的杂质铝、镓或铟后便形成p型半导体。其导电机制如下:一个三价的杂质Al原子取代晶格中的Si原子后,为了能和最邻近的四个Si原子形成共价键,必须从...[继续阅读]
表示固体中应力和应变关系的方程。例如,对于各向同性固体的弹性变形,存在以下线性本构方程:εx=σx/E-v(σy+σz)/E,εy=σy/E-v(σz+σx)/E,εz=σz/E-v(σx+σy)/E,γxy=τxy/G,γyz=τyz/G,γzx=τzx/G。式中εx、εy、εz分别是固体沿x、y、z轴方向的...[继续阅读]
不含杂质的高纯半导体。由于半导体中共价键并不很强,在一定温度下,个别共价电子可能获得额外的能量而脱离其所属原子,成为传导电子而进入晶格中,而在原来的共价键处则出现一个电子空穴。显然传导电子的数量必然等于空穴的...[继续阅读]