
 单结晶体管的结构如图5-28(a)所示,高电阻率的N型半导体硅两端引出的两个电极,分别叫做第一基极B1和第二基极B2,P型半导体上引出的电极叫做发射极E。为了便于分析单结晶体管的工作特性,通常把两个基极B1和B2之间的N型区域等效为一 (共 387 字) [阅读本文] >>
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 单结晶体管的结构如图5-28(a)所示,高电阻率的N型半导体硅两端引出的两个电极,分别叫做第一基极B1和第二基极B2,P型半导体上引出的电极叫做发射极E。为了便于分析单结晶体管的工作特性,通常把两个基极B1和B2之间的N型区域等效为一 (共 387 字) [阅读本文] >>