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 溶液生长(SolutionGrowth,SG)在基理上不同于化学气相沉积CVD,使用液体介质而不是气体环境作为前驱物来源,当SG应用于在晶体衬底上生长外延层,也被称为液相外延LPE[31]。在SG中,Si的生长出于金属熔体(melt),典型金属熔体为Sn或In,有时使用 (共 1970 字) [阅读本文] >>
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 溶液生长(SolutionGrowth,SG)在基理上不同于化学气相沉积CVD,使用液体介质而不是气体环境作为前驱物来源,当SG应用于在晶体衬底上生长外延层,也被称为液相外延LPE[31]。在SG中,Si的生长出于金属熔体(melt),典型金属熔体为Sn或In,有时使用 (共 1970 字) [阅读本文] >>