海量资源,尽在掌握
 通过绝缘体(dielectricum)SiO2的开口(opening),外延横向过度生长技术可以实现Si的择优外延生长,如图1.14(b)所示。通过热氧化(thermaloxidation),得到的绝缘体SiO2具有掩蔽层(maskinglayer)的作用。化学气相沉积CVD的择优特性来自于控制Si蚀刻和Cl气 (共 840 字) [阅读本文] >>