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 为了了解区熔再结晶ZMR的机理,需要通过实验分析ZMR生长薄膜的形貌(morphology或topography)。对ZMR生长的薄膜进行射哥蚀刻(Seccoetch),薄膜会出现典型的缺陷结构。对Si薄膜的射哥蚀刻是一种择优蚀刻(preferentialetch或selectiveetch)。按照2∶1的 (共 3029 字) [阅读本文] >>