海量资源,尽在掌握
 在SiO2或其他中间层上用SiHCl3通过常压化学气相沉积APCVD进行多晶硅沉积,是微电子领域的常规工艺。2.4.3节描述的反应腔和工艺适用于异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池,在镀有SiO2的Si衬底上沉积多晶硅层,之后经过区熔再结晶ZMR形成籽晶 (共 1612 字) [阅读本文] >>