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 热平衡条件下,n型半导体中的电子浓度n0应为单位体积中施主提供的电子和热激发电子数之和。就半导体光伏技术所涉及的温度与掺杂条件而言,前者完全可看作等于施主的体积浓度ND,后者由激发时电子与空穴必成对这一点可知应等于 (共 662 字) [阅读本文] >>