海量资源,尽在掌握
 间接复合(见图3.5)还包括以半导体材料晶体结构缺陷为复合中心的情况。晶体结构缺陷包括空位、位错、晶界和表面,它们会在禁带中产生能级,包括深能级(靠近禁带中心的能级),从而成为间接复合的中心,同样有促进载流子复合,降低 (共 941 字) [阅读本文] >>