海量资源,尽在掌握
 通常DFB激光器需要采用二步外延生长的工艺制作。目前半导体晶体最常用和成熟的生长方法是有机金属化学汽相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)和分子束外延(MolecularBeamEpitaxy,MBE)技术。首先在衬底(通常为N型半导体)上生长N型限 (共 1451 字) [阅读本文] >>