25.jpg)
 1.背散射电子(Backscatteredelectron,简称BSE)以实验为例:用已知量的束流入射到正偏置的样品中,仅约70%的电子能量消耗在作用区内,其余30%的电子从样品中背散射出来,这是背散射电子。起因是由于部分入射电子受到样品原子核在任意方向 (共 4034 字) [阅读本文] >>
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 1.背散射电子(Backscatteredelectron,简称BSE)以实验为例:用已知量的束流入射到正偏置的样品中,仅约70%的电子能量消耗在作用区内,其余30%的电子从样品中背散射出来,这是背散射电子。起因是由于部分入射电子受到样品原子核在任意方向 (共 4034 字) [阅读本文] >>