最后再提一下陷阱效应。各种复合中心都存在一定的陷存非平衡载流子的可能性,被陷载流子并不按间接复合途径完成复合,而是要靠热激活跃迁到导带(电子)或价带(空穴),之后再按可行机制完成复合,一般情况下这种陷存对前述间接复...[继续阅读]

    考虑一个如图3.9所示的p-n结,假定体系在各个方向的尺度都可以看作无穷大,分析中不涉及表面局限。现设想该p-n结瞬间形成之后初期将发生的微观过程和导致的结果,可归纳为三个要点:1)扩散n型区电子浓度较p型区高,电子会由n型区向...[继续阅读]

    给一个自身已具有电压V0的器件外加一个电压V1,其结果很简单,如两者方向一致,器件上的电压就由V0增加为V0+V1,如两者方向相反,器件上的电压就由V0减小为V0-V1。外加直流电压到p-n结两端时(习惯称偏置电压),由于p-n结空间电荷区载流子...[继续阅读]

    光是一种电磁波,它在固体中如在空气中一样也发生传播,相关的电磁场强度服从麦克斯韦方程。求解该方程,可同时解出材料的折射率n和吸收系数α。两者都与材料介电常数和电导率有关。一种材料的n,α的含义可分别由以下两式体现...[继续阅读]

    在半导体中最主要的光的吸收机制就是我们前面已经述及的光照条件下非平衡载流子激发,或非平衡载流子光注入,这一小节专门介绍具体的激发(吸收)条件,吸收系数与入射光波长的定量关系等。注意半导体在光照下的非平衡载流子的...[继续阅读]

    本章力求以通俗易懂的方式简要而完整地介绍了光伏技术所涉及的半导体物理基础。相对于一般半导体物理教材,其中省略的内容主要为三类:①与光伏技术无关的部分;②数学推导过程;③固体物理基础知识。然而对一些重要的、较难...[继续阅读]

    [1]　刘恩科,朱秉升,罗晋生.半导体物理学(第6版)[M].北京:电子工业出版社,2003.[2]　施敏(S.M.Sze),伍国珏(KwokK.NG).半导体器件物理(第3版)[M].耿莉,张瑞智,译.西安:西安交通大学出版社,2008.[3]　GREENMA.SolarCells—OperatingPrinciples,TechnologyandSys...[继续阅读]

    光伏发电可以说是半导体太阳电池发电的同义语;光伏电池与半导体太阳电池含义也相同,一般称太阳电池,这里加上“半导体”是为了将有机物太阳电池与染料敏化太阳电池排除在外。这两类电池迄今还基本未走出实验室。事实上半...[继续阅读]

    一片实用的普通太阳电池是一张156×156mm2、约0.18mm厚的方形薄片,薄片材料是硅晶体,其朝光一面有密布细金属栅线和两道或三道横跨连接这些细栅线的供输出接触的粗栅线,背面则完全覆盖金属。这是我们肉眼所能看到的全部构造。图...[继续阅读]

    第3章中我们介绍过半导体p-n结,到讲完它的“暗I-V特性”结束。当时离它的光照下发电原理已经很近了。现在我们还是紧紧依托这个基础来讲清它。仍以硅片太阳电池为例。暗条件下,半导体p-n结虽有内建电场却不会输出电流,也不会...[继续阅读]