进一步克隆了Lemont和Dular根系Lsi1基因的开放阅读框(ORF),测序后进行相似性比对,结果显示,Lemont和Dular根系Lsi1基因序列相似性程度高,仅2个碱基存在差异;将其翻译为氨基酸序列重新比对,结果表明,Lemont和Dular根系Lsi1基因编码的氨基酸序...[继续阅读]

    对转基因及野生型水稻根系Lsi1基因的半定量RT-PCR及定量PCR检测结果表明:转入Lsi1基因RNAi载体的Lemont水稻根系Lsi1基因表达量较野生型植株下降了53%,说明通过RNAi能够降低Lemont水稻Lsi1基因的表达量;转入Lsi1基因过量表达载体的Lemont水稻...[继续阅读]

    进一步测定Lsi1RNAi的Lemont和Lsi1过量表达的Lemont水稻根系的硅吸收能力及叶片硅含量,结果发现,Lsi1RNAi的Lemont每克根干重7d的硅吸收量为18.90mg,显著低于相同条件下的野生型植株(49.65mg)。与此同时,Lsi1过量表达的Lemont水稻根系的硅吸收能...[继续阅读]

    观察各水稻表现型发现,Lsi1增强表达的Lemont水稻叶片形态未发生明显变化。然而,当Lsi1被抑制表达后,即水稻硅吸收量显著下降时,转基因Lemont水稻叶片出现黄色斑纹(图2-21),说明水稻硅含量降低将导致其叶片形态发生变化,推测此变化可...[继续阅读]

    应用半定量RT-PCR检测苯丙氨酸解氨酶(PAL)及光裂解酶(photolyase)的基因表达,结果发现,缺硅培养的野生型Lemont水稻叶片的PAL及photolyase的基因表达量都低于正常硅营养条件的野生型Lemont;UV-B辐射后,两种营养条件下的水稻叶片的PAL及photo...[继续阅读]

    测定各水稻叶片的总酚、类黄酮含量,结果显示,缺硅条件下野生型Lemont叶片每100g鲜叶的总酚、类黄酮含量分别为20.77mg和8.31mg;同时正常硅营养条件下Lsi1RNAi转基因Lemont水稻叶片每100g鲜叶的总酚、类黄酮含量分别为23.79mg和8.11mg,均显著...[继续阅读]

    为进一步揭示UV-B辐射下,Lsi1基因抗UV-B辐射的分子调控基础,结合前期研究获得的Lsi1过量表达的Dular,应用抑制消减杂交(SSH)分别分离鉴定UV-B辐射下,Lsi1-RNAi转基因Lemont、Lsi1过量表达的Lemont较野生型Lemont的差异表达基因,Lsi1过量表达的...[继续阅读]

    正常硅营养条件下,水稻根系Lsi1被抑制表达的转基因Lemont水稻叶片的PAL基因表达较其野生型植株也发生下调,总酚、类黄酮的含量显著下降,此结果与缺硅营养种植的野生型植株相似,说明抑制根系Lsi1基因表达将导致水稻防御UV-B辐射能...[继续阅读]

    通过分光光度法测定并建立硅含量的标准曲线(图2-23),进而对UV-B辐射条件下和自然光照条件下(CK),各供试水稻品种的硅含量进行比较。图2-23硅含量的标准曲线结果再次显示,抗UV-B辐射水稻品种Lemont的硅含量高于UV-B辐射敏感水稻品种...[继续阅读]

    为检测UV-B辐射对不同硅含量水稻叶片DNA的损伤程度,进一步分别提取了UV-B辐射前后Lemont、Dular及其Lsi1过量表达的转基因植株叶片的DNA(图2-25),用于测定DNA中的CPD和6-4-PPDNA含量。采用ELISA法测定不同水稻样品的吸光值结合标准曲线(图...[继续阅读]