由于能源分布和经济发展的不平衡,高电压、大容量、远距离输电和大电网的互联,已经成为世界各国电力系统发展的主要趋势之一。而能源资源紧张和环境污染等问题日趋严重,已成为经济社会可持续发展的重大制约因素,越来越多的...[继续阅读]

    二极管(Diode)是发明最早也是应用最为广泛的半导体器件之一。常规的二极管是一个两层PN结的半导体器件,如图1-1所示。二极管的工作特性如图1-2所示。如果图1-1中的P层相对于N层是正电压,则器件在正向偏压作用下流过大电流;如果...[继续阅读]

    晶闸管(Thyristor)在结构上可以看作两个晶体管连接在一起,如图1-5所示。这两个晶体管结构中PNP晶体管的集电极形成NPN晶体管的基极。通常N和P两个发射极层掺杂浓度很高,而N和P两基层掺杂浓度很低。当阴极(N发射极)为正,而阳极(P发射...[继续阅读]

    门极可关断晶闸管(GateTurn-offThyristor,GTO)是在普通晶闸管基础上改进的一种注入型自关断器件。与普通晶闸管一样,GTO也是一种三端器件,它的结构、等效电路和符号如图1-7所示。图1-7GTO的结构、等效电路、符号(a)结构;(b)等效电路;(c)符...[继续阅读]

    集成门极换流晶闸管(IntegratedGateCommutatedThyristor,IGCT)是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动在外围以低电感方式连接。其结合了晶闸管与晶体管两种器件的优点,是一种用于大功率电力电子装置中的新...[继续阅读]

    绝缘栅双极晶体管(Insulated-GateBipolarTransistor,IGBT)是一种场控复合器件,由MOSFET器件发展而来,其将高阻抗和小功率门极输入结合起来,具有较高的开关速度和较低的导通损耗。IGBT的工作特性与双极晶体管类似,但却有着与晶闸管类似的双...[继续阅读]

    目前,硅材料功率器件已发展得相当成熟。为了进一步实现人们对理想功率器件特性的追求,越来越多的研究工作开始转向基于新型材料的半导体器件。在用新型半导体材料制成的功率器件中,受到最多关注的是碳化硅(SiC)功率器件。碳...[继续阅读]

    灵活交流输电技术(FACTS)是20世纪80年代末美国电力科学研究院NarainG.Hingorani博士提出的概念。灵活交流输电系统的设备可分为并联补偿装置、串联补偿装置和串并联综合控制装置。并联补偿装置,如静止无功补偿器(SVC)、可控并联电抗...[继续阅读]

    高压直流输电技术是以直流电的形式来实现电能传输的技术。高压直流输电系统一般可分为两端直流输电系统和多端直流输电系统两大类,目前工程中绝大多数都为两端直流输电系统。而从电压等级上来区分,又可分为高压直流输电...[继续阅读]

    柔性直流输电技术于1990年首次被提出,其主要特点就是采用由全控电力电子器件构成的电压源换流器,取代常规直流输电中基于半控晶闸管器件的电流源换流器。自该技术提出以来,由于其卓越的可控性和灵活性,吸引了世界上众多学者...[继续阅读]