单结晶体管的结构如图5-28(a)所示,高电阻率的N型半导体硅两端引出的两个电极,分别叫做第一基极B1和第二基极B2,P型半导体上引出的电极叫做发射极E。为了便于分析单结晶体管的工作特性,通常把两个基极B1和B2之间的N型区域等效为一...[继续阅读]

    1.工作特点为了便于了解单结晶体管的工作特点,用图5-30所示电路,测出它的伏安特性曲线,如图5-31所示。图5-30单结晶体管测试电路图5-31单结晶体管伏安特性曲线由图5-30可见,单结晶体管的工作有三个典型的工作状态:截止状态、负阻...[继续阅读]

    使用万用电表可以方便地对单结晶体管进行电极判断和性能检测。1.电极判别判断单结晶体管E、B1、B2电极的方法比较简单,首先将万用电表拨在R×1k电阻档上,依次测量管子任意两个电极间的正、反向电阻。若某两电极间的正反电阻相...[继续阅读]

    1.玻封高速开关二极管玻封高速开关二极管只有良好的高频开关特性。其反向恢复时间trr为4ns,并且体积小、价格低。典型产品有1N4148、1N4448,最高反向工作电压URM＝75V,反向击穿电压UBR≥100V,最大正向压降UFM≤1V,平均整流电流Id＝150m...[继续阅读]

    肖特基二极管和铝硅肖特基二极管是以半导体物理和器件的先驱者肖特基(Schottky)的名字而命名的二极管。1.肖特基二极管肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称。它是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体整流器件。其反...[继续阅读]

    1.瞬态电压抑制二极管瞬态电压抑制二极管是一种安全保护器件,主要应用于各种电子设备及仪器电源电路中,对瞬间出现的浪涌电压脉冲起到分流作用,可以有效地降低由于雷电或电路中感性元器件产生的高压脉冲的幅度,对电路中的...[继续阅读]

    晶体三极管的内部结构、文字符号及电路代表符号如图6-1所示。三极管的两个PN结分别称作发射结和集电结,发射结和集电结之间为基区。三个电极分别叫发射极(e极)、基极(b极)和集电极(c极)。按内部半导体极性结构不同,三极管可分...[继续阅读]

    三极管在实际制作中,其基区相当薄,而其集电结面积相对较大。由于这种特殊结构,只要在它的相应电极上加上合适的电压,三极管便具有电流放大能力。也就是说,当它的基极电流发生变化时,其集电极电流会发生更大的变化。所以三...[继续阅读]

    三极管的技术参数分为两类:一类是运用参数,用以表示一般工作时的各种性能;另一类是极限参数,用以表示三极管的安全使用范围。前者主要包括电流放大系数、截止频率、极间反向电流等,后者包括击穿电压、集电极最大允许电流、...[继续阅读]

    在一般《晶体管手册》中,除了给出上述几项主要技术参数外,还给出管子在共发射极电路中输入、输出特性曲线,如图6-7所示。有时还给出其h参数,它们分别从不同的侧面表征了晶体管的性能。限于篇幅,不再赘述。(a)输入特性曲线(...[继续阅读]