传统像素设计中,像素电极和扫描线以及数据线保持一定间距,目的是防止像素信号被扫描信号和数据信号干扰,但是间隙处会导致漏光,因此需在彩膜侧对应位置增加BM进行遮光,而这又导致开口率的降低。JAS膜为有机膜,具有和光刻胶相...[继续阅读]

    非晶硅TFT使用CVD(化学气相沉积),简单理解就是把基板放入密封的反应室内向其输入反应气体,通过温度、等离子体、光(UV)、电场等对分解气体在不改变基板特性的情况下进行固态沉积。非晶硅成膜共分为以下4个阶段:(1)自由电子活性...[继续阅读]

    上一问与大家聊过非晶硅TFT的制造工艺,这一问介绍一下LTPSTFT的制作工艺。a-SiTFT一般为底栅5Mask结构,而LTPSTFT由于底栅结构导致硅层中结晶性不佳,无法提高载流子迁移率,目前顶栅式LTPSTFT已是主流结构。LTPSTFT与a-SiTFT主要有两点制程...[继续阅读]

    液晶显示作为被动发光显示器件,开口率[1]的大小决定着背光光线透过的多少,更大的开口率对应达到同样面板亮度时,所需的背光亮度降低,即可以使用更少的背光源,在降低功耗的同时也节省了材料成本。首先来看无JAS的像素设计。如...[继续阅读]

    随着液晶显示器尺寸的不断增大,驱动电路的频率不断提高,现有的非晶硅薄膜晶体管的迁移率很难满足需求。这是因为非晶硅薄膜晶体管的迁移率一般在0.5cm2/(V·s)左右,而液晶显示器尺寸超过70英寸,驱动频率在120Hz时就需要1cm2/(V·s...[继续阅读]

    在面板不良中,配线的断线是常见的不良。在点灯检查时,一般是使用面板周边的修复线进行修复。而发生断线有很多原因,其中一个原因是金属配线的台阶覆盖率(StepCoverage)太低。台阶覆盖率的计算公式为该公式的示意图如图1所示。...[继续阅读]

    如图1所示为ITO与Ti/Al金属接触图案,其中金属中心开孔,下方垫有半导体层。为什么不采用如图2表示的简单接触孔样式呢?图1　ITO与Ti/Al金属接触孔图2　理想ITO与Ti/Al金属接触孔如图3所示,ITO与金属Al直接接触,但是Al膜会与ITO膜之间由于...[继续阅读]

    在液晶显示像素中,需要在像素电极下方配置存储电极,与像素电极之间形成存储电容(如图1所示)。图1　液晶像素示意图至于为什么需要设置存储电容,很多教科书都有详细的解释,比较典型的是水桶原理。这个比喻看似形象却很难准确...[继续阅读]

    ESD(ElectroStaticDischarge)的意思是“静电释放”。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等为主的学科,国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD。在大规模半导体制造业中,ESD一直扮演着重要角色,尤其对于TF...[继续阅读]

    图1　单色亮线不良示意图以TN模式液晶显示屏幕为例,点灯检查时在黑画面下出现单色均一亮线不良(如图1所示),称为浓密D线。因为TN为常白模式,液晶层有电压差时才会变为黑色,出现亮线是因为数据信号未灌入数据线中。由于亮线无...[继续阅读]