在区熔再结晶ZMR工艺调整的许可范围内,更高的成本可以直接转化为扫描速度的增加。原则上,ZMR不是高投资的工艺,所以主要的投资成本来自于单位面积的工艺成本。进一步的计算表明,为了使ZMR成本低于10/m2,工艺的扫描速度必须高于...[继续阅读]

    在20世纪80年代初就有报道,用非相干光源作为热源的区熔再结晶ZMR制备Si薄膜,用于微电子领域的绝缘体上硅SOI应用[101]。10年之后,ZMR应用于异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池的研究,先是日本三菱电机在1996年的报道[102],而后是德国弗劳...[继续阅读]

    我们已经详细地讨论了区熔再结晶ZMR工艺中温度梯度、生长形貌和缺陷密度之间的关系。根据这些讨论,结晶面温度梯度的精确控制对生长高质量ZMR薄膜非常重要。虽然不容易直接测量温度梯度的数值,但是利用熔化Si的反射率变化...[继续阅读]

    之前章节的讨论表明,即使用单晶硅或多晶硅硅片作为模型衬底,区熔再结晶ZMR生长Si薄膜的质量也依赖于衬底的数个参数。如果用非理想的陶瓷衬底,ZMR更加会受到陶瓷衬底较差特性参数的影响。区别于Si模型衬底,陶瓷衬底的以下几个...[继续阅读]

    太阳能行业几乎所有的研发力量都集中于降低单位Wp的成本。成本效益也是未来Si沉积设备和工艺的最重要要求。通过简单的计算,沉积Si层的成本上限为30/m2,并且要求沉积工艺实现高质量的Si薄膜,才能制备具有较大商业价值的异质衬...[继续阅读]

    常压化学气相沉积APCVD的前驱物是SiHCl3-H2系统,对应的生长速率,即沉积速率,依赖于沉积温度、气相成分和总气压,这很容易得到实验的证实(demonstration)。为了确定最优化的工作点和最优化的反应腔几何设计,对沉积反应建立分析模型不...[继续阅读]

    常压化学气相沉积APCVD的化学产率,即Si的转换效率,定义为初始气相Si转换为固相Si的效率。比较初始气相Si/Cl摩尔比例和热平衡状态沉积温度下最终的Si/Cl比例,可以给出Si沉积反应理论上耗用的SiHCl3。用SiHCl3作为前驱气体的初始Si/Cl比...[继续阅读]

    微电子领域使用的外延反应腔由于成本原因,不适合制备异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池(参见2.4.2节)。异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池Si沉积的设备研究专注于:●大面积的分批式反应腔;●高生产速率的连续在线式反应腔。数个研究...[继续阅读]

    异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池需要两种不同类型的Si沉积工艺。第1种沉积制备在衬底/中间层上,得到的多晶硅薄膜晶粒尺寸在μm量级。之后的区熔再结晶ZMR工艺要求这样的Si层满足:●厚度1～5μm;●厚度均匀度为90%～95%;●很好的结...[继续阅读]

    在SiO2或其他中间层上用SiHCl3通过常压化学气相沉积APCVD进行多晶硅沉积,是微电子领域的常规工艺。2.4.3节描述的反应腔和工艺适用于异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池,在镀有SiO2的Si衬底上沉积多晶硅层,之后经过区熔再结晶ZMR形成籽晶...[继续阅读]