APP 通过绝缘体(dielectricum)SiO2的开口(opening),外延横向过度生长技术可以实现Si的择优外延生长,如图1.14(b)所示。通过热氧化(thermaloxidation),得到的绝缘体SiO2具有掩蔽层(maskinglayer)的作用。化学气相沉积CVD的择优特性来自于控制Si蚀刻和Cl气...[继续阅读]
薄膜太阳能电池
字数： 840
海量资源，尽在掌握
通过绝缘体(dielectricum)SiO2的开口(opening),外延横向过度生长技术可以实现Si的择优外延生长,如图1.14(b)所示。通过热氧化(thermaloxidation),得到的绝缘体SiO2具有掩蔽层(maskinglayer)的作用。化学气相沉积CVD的择优特性来自于控制Si蚀刻和Cl气...[继续阅读]
外延晶体硅薄膜太阳能电池的优势是低成本的Si衬底,已经有了基于单晶硅和多晶硅衬底的不少实验室成果。在20世纪90年代,有数个实验室报道了高掺杂单晶硅衬底上生长外延晶体硅薄膜太阳能电池的研究成果,证明了较高的转换效率...[继续阅读]
所谓的产业化太阳能电池(industrialsolarcell)是指大面积(>20cm2)太阳能电池,并且生产工艺类似于光伏产业的现有工艺。虽然生产外延晶体硅薄膜太阳能电池的基本工艺流程与生产经典晶体硅太阳能电池的工艺很相似,但是由于两个原因...[继续阅读]
将前栅线(frontgrid)作为接触电极的外延晶体硅薄膜太阳能电池可以制备衬底配置或上层配置,而基于硅片的晶体硅太阳能电池有新颖的接触电极形式。如果将这两个概念集成在单一器件中,可以同时减小晶体硅太阳能电池的两个主要的...[继续阅读]
连续化学气相沉积(ContinuousChemicalVaporDeposition,ConCVD)概念接近于目前多数晶体硅太阳能电池生产线使用的在线式工艺,该工艺非常适合大规模生产。ConCVD概念基于连续输运晶片工艺,通过热反应区域发生外延沉积。为了提高气相Si到固相...[继续阅读]
作为最近发展的大规模生产工艺,对流辅助化学气相沉积(ConvectionassistedChemicalVaporDeposition,CoCVD)可以有效地使用热对流,以控制反应腔中的气体流动,并且通过对流回收未充分使用的气体前驱物[90],如图1.23所示。反应腔与水平方向的夹角...[继续阅读]
虽然连续化学气相沉积ConCVD和对流辅助化学气相沉积CoCVD已经在大规模生产的可行性上取得了很大的进展,但是这两种概念的可靠性和安全性仍然有待论证。微电子领域发展了分批式外延反应腔(batchtypeepitaxialreactor),用SiH4作为Si前驱物...[继续阅读]
温度差法(temperaturedifferencemethod,TDM)是一种有较好前景的准连续技术,可以在10cm×10cm的大面积多晶硅衬底上生长外延层,是液相外延LPE大规模生产研究的重要方向[95,96]。TDM先被用于为发光器件沉积Ⅲ-Ⅴ族半导体层(semiconductorlayer)[97]。与...[继续阅读]
如果大规模生产的液相外延LPE采用连续的在线式工艺,比不上分批式工艺,因为溶解的Si会不断地减少,需要在每一次外延生长后更换溶液。在分批式液相外延(batchtypeliquidphaseepitaxy)中,将16片衬底同时浸润在“无限源”(infinitesource)中,使...[继续阅读]